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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3172
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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