RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 56
    Около 50% меньшая задержка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    20.1 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.5 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 8500
    Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 56
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 20.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 10.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1988 left arrow 2455

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
модули RAM
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
модули RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
модули RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
модули RAM