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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 56
    周辺 50% 低遅延
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.1 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 20.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 10.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 2455

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