RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
57
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
57
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
20.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2328
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link