RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 35
    Около -17% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.9 left arrow 14.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.4 left arrow 9.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.4 left arrow 16.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.5 left arrow 13.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2321 left arrow 3257

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
модули RAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
модули RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
модули RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
модули RAM