RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
35
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3650
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
UMAX Technology 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link