RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
35
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3130
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link