RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
35
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3477
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link