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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB

总分
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

总分
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 35
    左右 -3% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 14.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.2 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 15.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2321 left arrow 3477

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

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内存RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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