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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
50
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
31
读取速度,GB/s
5,143.3
16.3
写入速度,GB/s
1,905.1
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3205
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
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Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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