RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3442
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link