Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 35

Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.4 14.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.8 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 19
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 20.4
Скорость записи, Гб/сек

9.5 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2321 3066

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB

Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905702-027.A00G 8GB

Kingston 9905702-027.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

модули RAM

Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB

Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM