RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2891
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link