RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2880
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link