RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Kingston 9965662-013.A01G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
40
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
40
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
9.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2125
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link