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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 9965662-013.A01G 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
40
读取速度,GB/s
14.4
9.2
写入速度,GB/s
9.5
6.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2125
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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