RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2173
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link