RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3026
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link