RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
35
Около -9% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
11.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
1875
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link