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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
14.4
11.9
写入速度,GB/s
9.5
8.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1875
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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