RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
7.4
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1770
3519
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link