RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Confronto
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1770
3519
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link