RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
39
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.4
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1770
2321
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link