RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1770
2321
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link