RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2660
2708
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link