RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сравнить
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB против Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.4
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2660
2708
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link