RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.2
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
39
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2191
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link