RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
39
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
12.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
1886
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link