RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
39
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3318
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link