RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
18.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3550
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link