Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 39

Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.3 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 35
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 16.7
Скорость записи, Гб/сек

7.2 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1749 2933

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingston 9905701-141.A00G 16GB

Kingston 9905701-141.A00G 16GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB

Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB

Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB

модули RAM