RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
79
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
79
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
14.1
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
1651
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link