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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
79
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
79
读取速度,GB/s
11.7
14.1
写入速度,GB/s
7.2
7.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
1651
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
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