RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
39
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.2
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3773
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link