Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 39

Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.6 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 31
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 16.0
Скорость записи, Гб/сек

7.2 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1749 3289

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB

Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB

модули RAM

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

модули RAM

Corsair CMSX16GX3M2B1600C9 8GB

Corsair CMSX16GX3M2B1600C9 8GB

Kingston KMKYF9-MIB 8GB

Kingston KMKYF9-MIB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB

Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB

модули RAM

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

модули RAM