RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
38
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
9.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2110
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link