RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2687
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link