RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2687
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO M418039 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link