RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2179
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link