RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2443
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link