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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2443
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
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Kingston 9965662-002.A01G 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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