RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
39
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3075
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link