RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
56
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2699
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link