RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3566
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link