RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
56
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3115
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link