RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
56
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3131
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link