Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Kingston 9905734-061.A00G 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.3

Среднее значение в тестах

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Причины выбрать
Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 56

Около -51% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.7 1,813.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 37
Скорость чтения, Гб/сек

4,387.7 14.3
Скорость записи, Гб/сек

1,813.5 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

693 2841

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB

Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

модули RAM