RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
56
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2913
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link