RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
56
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2240
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link