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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
56
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
32
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
2240
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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